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性能难以过剩 存储行业2011下半年展望
2011-07-01 中关村在线 / 孙玉亮

谈到整个DIY产业,相比过去几年确实没落了很多很多。我们再也找不到从单核CPU升级到双核CPU时的喜悦,在也找不到硬盘容量翻倍带来的惊喜。这是为什么?其实归根结底DIY已经到了性能过剩的时代。

在过去印象里,台式机唯一的优势就是性能。但如今这个时代,并不是所有人都需要电脑拥有超强的性能,大多数用户的日常应用,比如上网、聊天、办公、收发邮件、看电影、玩网游等,都不需要电脑拥有太高的配置。两年前的双核CPU与当今顶级六核CPU,在运行这些软件以及最新的Windows 7操作系统方面,并无太大差别!但是对于存储产品,是永远达不到过剩的,因为没有人会嫌弃存储速度过快,所以对于存储产业还需要走很长的路。那么下面笔者就来展望一下未来存储行业的几大看点。

● 缩减成本 30奈米工艺时代来临

不知是否受到Intel处理器的影响,内存的制造工艺脚步不断加快,预计到2011年下半年大部分内存芯片厂商将使用基于30nm技术的制程来制造内存芯片产品。其实谈到内存的生产工艺,很多用户都不理解,下面笔者举个简单的例子。

2011年内存/硬盘市场展望
三星新工艺制程的DDR3内存

在2010年,三星是第一款推出40奈米制程工艺的厂商,相对于当时50或者60奈米工艺而言,生产效率提升60%,所以内存生产成本造价上也得到控制,在内存利润率低下的今天,缩减成本可以有效的提升利润空间。

2011年内存/硬盘市场展望
晶圆

如果所有DRAM厂宣布启用30nm制程后,DDR3内存芯片的产出率将比40nm制程提升60%左右,相比50、60nm制程的成本利用率提升两倍左右。另外,从节能上来说最多可节省30%的功耗,所以新制程的另一个特点就是低功耗、低发热。

目前三星和Hynix正在积极向30nm制程迁移,而在他们的带动下,尔必达也已经研发成功30nm工艺的2Gb容量DDR3 SDRAM内存颗粒,并且核心面积和功耗都创下业界新纪录。转换完成后,尔必达内存芯片产品的成本将大幅降低。

● 新一代DDR4内存2011年面世

韩国三星公司日前正式宣布,该公司成功使用30nm工艺推出了业界首款DDR4内存产品。对此三星公司内存市场部的执行副总裁Dong-Soo Jun表示:“新款DDR4 DRAM内存将会为我们先进的绿色内存带来更多的优势,特别是在当我们为主流应用使用下一代工艺推出4G DDR4产品的时候。”

2011年内存/硬盘市场展望
DDR4时代将正在2011年提前到来

从上图我们看出DDR4内存起步频率就达到了2133MHz,最大频率可以达到4266MHz,并且电压会进一步降低至1.2V、1.1V,甚至还可能会有1.05V的超低压节能版。而目前的DDR3内存最高标准频率为2133MHz,电压则有标准版1.5V、节能版1.35V两种。所以可以预见DDR4将继续沿着高频率、低电压之路前进。

2011年内存/硬盘市场展望
三星完成史上第一条DDR4内存

有消息称,JEDEC组织会在2011下半年完成DDR4标准规范的制定工作,而且三星也会加快与其它DRAM厂的密切合作,并且帮助制定DDR3标准。所以不出意外,在2011年底我们就能见到真正的DDR4内存出炉。

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